【浮现】分析称下半年DRAM价格将持续上涨，NAND库存问题或再度浮现；美光HBM出貨量Q3逐步提高

1、分析称下半年DRAM价格将持续上涨，NAND库存问题或再度浮现

2、为应对行业激烈竞争，三星德州泰勒晶圆厂或于2026年生产2nm工艺

3、美光HBM出貨量Q3逐步提高

1、分析称下半年DRAM价格将持续上涨，NAND库存问题或再度浮现

为抢夺AI芯片商机，全球三大存储芯片厂商三星、SK海力士与美光，现阶段皆积极将DRAM产能转为生产HBM，这导致DRAM供给减少，而由于DDR5供给有限，以及三大厂商陆续停产DDR4/DDR3，为其它存储厂商创造价格上涨空间。

业界认为，以DRAM与NAND来看，DRAM下半年涨势较确立，NAND则因需求较弱以及原厂稼动率回升，库存问题再度浮现，价格相对压抑，因此更多看好DRAM在下半年的表现，价格将持续上涨。

业界预期，进入第三季度后，除了AI服务器领域需求持续较强，随着传统旺季到来加上库存已至健康水位，各品牌厂商与ODM客户将重启备货，消费型电子需求也将在7月底至8月回升，工控与车用也可望逐步回温，从而带动存储市场增长。

2、为应对行业激烈竞争，三星德州泰勒晶圆厂或于2026年生产2nm工艺

随着行业竞争演变，三星或将调整其先进制程生产战略。据报道，三星正采取措施，将其位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的生产开始时间定在2026年（而不是2024年），并可能从2nm制造工艺开始。

三星泰勒晶圆厂原计划将于2024年底开始生产4nm节点，但三星可能会在2024年第三季度做出转向2nm的决定。目前，三星正在放缓芯片制造设备订单，等待决定是否启动2nm制造工艺。

此前，三星曾于2021年11月宣布斥资170亿美元建造其第一家泰勒工厂，以及其位于德克萨斯州的第二家工厂，但据称该预算已上涨至约200亿美元。

行业分析认为，三星泰勒工厂初始生产节点以及开始生产的时间的一个考虑因素可能是，市场采用人工智能的速度以及对尖端芯片的需求。目前，三星的代工竞争对手台积电已经在为市场领导者英伟达生产3nm尖端工艺制程。

与此同时，苹果、AMD、高通、英特尔、联发科等大厂都投产台积电3nm，为了应对产能供不应求，台积电规划今年3nm产能将比去年增加三倍。

另据报道，三星电子最新的3nm芯片Exynos2500良率，相比第一季的“个位数”有所提升，但目前良率仍略低于20%，难以达到量产标准，未来能否用于GalaxyS25系列旗舰智能手机还尚未确定。但三星正在全力提高良率，以在今年10月之前将Exynos2500芯片良率提升至60%。

此外，与其他代工厂的竞争形势也可能是三星调整泰勒工厂生产规划的一个因素。目前，英特尔预计将在2024年推出其20A和18A（2nm和1.8nm）工艺。台积电预计将在2025上半年推出2nm工艺，而Rapidus表示计划于2025年4月在试验线上使用IBM授权的2nm工艺生产芯片，并于2027年实现量产。

三星最近根据《CHIPS法案》获得美国政府66亿美元的奖励，作为回报，三星承诺投资240亿美元在泰勒建造第二座晶圆厂。无论如何，泰勒晶圆厂将在三星产能规划中变得更为重要，但三星最终是否会将最先进的工艺在美国投产还有待观察。

3、美光HBM出貨量Q3逐步提高

研调机构集邦科技指出，AI动能强劲，美光在第3财季开始增加高频宽存储器（HBM）出货量，加上DRAM供应商提高HBM比重，估第3季DRAM价格可望持续上扬，第3季涨价幅度约8%至13%，台厂南亚科、创见、宇瞻等营运可期。

根据美光上季财报，DRAM收入季增13%，达到47亿美元，符合市场预期；NAND存储器收入成长32%，达21亿美元，优于预估的19亿美元。美光执行长梅罗特拉表示，在资料中心方面，快速增长的AI需求使集团收入将较上季增逾50%。

AI动能强劲，美光在第3财季开始增加HBM出货量，HBM3E产品在此期间带来逾1亿美元的利润。梅罗特拉指出，下一财年HBM年收入可能达数十亿美元。

集邦分析，第3季因智能手机及云端服务业者回补库存，且步入DRAM生产旺季，存储器出货量可望增大，其中，服务器存储器受惠通用型服务器备货需求推升，第3季合约均价可望上扬8%至13%。（经济日报）