AI应用热! SK海力士、三星及美光等全球前三大存储器厂,积极投入高频宽存储器(HBM)产能扩充计划,市场人士估计,2025年新增投片量约27.6万片,总产能拉高至54万片,年增105%。
HBM是AI芯片占比最高的零组件,根据外媒拆解,英伟达H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超过生产封装。
HBM经历多次迭代发展,进入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相继采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场,而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。
美光2023年9月宣布推出HBM3E,2024年开始供应英伟达;三星的HBM3E,则由英伟达及AMD验证之中,据业者了解,三星的HBM3E,预计第四季通过客验,HBM正成为高效运算(HPC)军备竞赛核心。
在扩产计划上,三星内部正将南韩平泽厂区P1L/P2L/P3L,逐步升级为DDR5和HBM共用产线;华城厂区Line13/15/17,则正逐步升级到1α制程,仅保留小部份产能停留在1y/1z制程,以应对特殊工业及航太等领域需求。
SK海力士以南韩利川市M16产线生产HBM,并着手将M14产线升级为1α/1β制程,以供应DDR5和HBM产品。此外,大陆无锡厂在取得美国政府解禁后,现正积极将制程由1y/1z升级到1z/1α,分别用于生产DDR4及DDR5产品。
美光HBM前段在日本广岛厂生产,产能预计今年第四季提升至25K;长期将引入EUV制程(1γ、1δ),并建置全新无尘室。
短期计划则以台湾林口与台中厂产能因应,即增加1β制程比重,预计2025年底HBM总投片量约达6万片。
至于美国制造,维吉尼亚州Dominion Fab6可能扩建供应HBM前段。 HBM后段制程方面,美光暂无明确计划,推测2026年以前都放在台湾。
全球三大厂的HBM投片量,将连二年保持高成长,2025年底全球总投片量约达每月54万片。