总投资1.5亿元,株洲诺天科技碳化硅半导体设备与基材生产基地项目主体结构封顶

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7月5日,株洲诺天电热科技有限公司碳化硅半导体设备与基材生产基地项目主体结构顺利封顶。株洲诺天电热科技有限公司碳化硅半导体设备与基材生产基地项目备案证明显示,该项目总投资1.5亿元。

碳化硅半导体设备与基材生产基地项目位于株洲市天元区栗塘路以东、乐山大道以西、湘莲大道以南、创业一路以北,项目用地面积约14041平方米,建筑面积约11200平方米,主要建设内容为建设碳化硅设备研发及深度加工、高纯碳化硅基材的生产基地,以半导体变流技术为依托,集科研开发、生产经营为一体的科技型产业集群。

株洲高科集团消息显示,3月21日,株洲高科建设工程有限公司成功中标碳化硅半导体设备与基材生产基地项目,中标金额为2078万元。该项目由株洲诺天电热科技有限公司投资建设,建设内容包括工业厂房及配套办公设施建设,总建筑面积为11211.89平方米。(校对/赵碧莹)

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