据了解，日前国内头部面板厂商维信诺已完成世界首颗采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）存储技术AMOLED显示驱动芯片的开发和认证。该新型AMOLED显示驱动芯片由维信诺与驱动芯片设计公司昇显微电子联合开发，存储器设计公司睿科微电子提供技术支持。
据介绍，这是首次在AMOLED中采用嵌入式RRAM存储技术的显示驱动芯片。对比现有传统显示驱动芯片采用内置SRAM+外置Flash方案来实现Demura补偿功能，该新型驱动芯片直接去除传统外置Flash芯片，有效解决了传统芯片存在的外置器件成本居高不下、补偿参数读取速度慢等问题，带来成本更低、面积更小、效率更高等优势，是AMOLED显示驱动芯片技术的重要突破。
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显示驱动芯片行业痛点：外置Flash成本高、Demura补偿参数读取速度慢
一直以来，针对AMOLED显示屏面临显示亮度不均匀（mura）的共性问题，AMOLED显示驱动芯片需要集成Demura（消除显示器mura,使画面亮度均匀的技术）补偿算法来优化显示效果。
业界普遍采用内置SRAM（静态随机存储器）+内置OTP（一次性可编辑存储器）+外置NOR Flash（闪存）的外部补偿模式，即外置一个存储器随时解决AMOLED面板mura的问题。NOR Flash具备高可靠性、快速读取等特性，加之在外部补偿模式下，屏幕对于容量的要求并不高，因此成为传统AMOLED显示驱动芯片方案的主流选择。
传统方案带来了生产成本高、效率较低的问题。具体来说，显示屏Demura补偿数据会先通过“烧录”的方式“搬运”到外置存储器：将Demura补偿数据传到内置SRAM，再通过SRAM与外置Flash的SPI通讯接口传输到外置Flash中。总体来说，传统AMOLED显示驱动芯片方案不光增加了外置Flash的成本，还带来了Demura补偿参数读取速度慢的问题。
新型AMOLED显示驱动芯片带来多重优势：成本更低、面积更小、效率更高
针对前述行业痛点，维信诺联合昇显微电子开发出世界上首颗采用嵌入式RRAM存储技术的新型AMOLED显示驱动芯片
RRAM阻变存储器，是通过器件本身电阻值的变化来实现存储功能的新型存储技术，具有非易失性、可缩减性、低功耗、工艺成本低、高写入速度的特性。新型显示驱动芯片取消了外置Flash，集成了 Demura SRAM 、OTP和Flash三种功能于一体，带来多重优势：
1.成本更低：直接去除芯片外置NOR Flash，降低成本；
2.面积更小：和NOR Flash相比，RRAM可微缩到10纳米以下，能直接嵌入到40纳米的AMOLED显示驱动芯片内部，可缩减性更优异。此外，RRAM同时可取代芯片内部的Demura SRAM和OTP，相比SRAM存储面积可缩减30%，为其他性能的提升如亮度补偿腾出空间，为整机优化设计带来更多可能；而同等面积下，RRAM方案相较SRAM存储数据量可增加30%，意味着对Demura补偿效果更好，显示效果更佳。
3.效率更高：相较于传统生产环节，消除了数据从SRAM写入NOR Flash的过程，实现Demura补偿算法数据内部可随时“原地”读取，大大降低数据“跑来跑去”所带来的消耗，可节省烧录时间约4秒~6秒，提高产线效率，实现降本增效。
AMOLED显示驱动芯片需求飙升，亟需填补关键技术空白
该新型AMOLED显示驱动芯片由国内新兴显示企业代表维信诺和本土驱动芯片设计公司昇显微电子联合开发，存储器设计公司睿科微电子提供技术支持。芯片技术开发认证期间，维信诺多次提出性能优化方向，进行多轮可靠性实验验证。据维信诺方面介绍，目前该驱动芯片已完成开发和认证，满足可量产的要求。
近年来，伴随着AMOLED渗透率持续提升，AMOLED显示驱动芯片的需求也水涨船高。Omdia数据显示，2024年AMOLED显示驱动芯片的需求预计将同比增长19%，其中智能手机驱动芯片的出货量将占据市场的50%。此外，随着平板电脑和笔记本电脑逐渐采用OLED面板，预计到2030年，AMOLED移动PC驱动芯片的出货量份额将达到30%。Omdia预测，从长远来看，AMOLED智能手机的需求将持续增长，其他应用的提升也将助力AMOLED显示驱动芯片市场在2028年前保持双位数增长。
此次世界首颗采用嵌入式RRAM存储技术的AMOLED显示驱动芯片顺利完成开发认证，意味着上下游联合创新已成为行业趋势。未来，在AMOLED显示驱动芯片领域同样亟需填补关键技术领域空白，不断提高国产份额，从而掌握更多话语权。
