三星今年稍晚推首款HBM4存储芯片元件，2025年初出货。三星将采最新10纳米级制造HBM4 DRAM，4 纳米级逻辑制造HBM4基础芯片。
三星制造第一批HBM4元件和基础芯片后，存储芯片和逻辑晶圆厂需几个月生产组装，三星再内测HBM4堆叠，并提供主客户样品，推测应是AI和HPC处理器领先厂商。
三星拒绝回应，外界预测2025年底开始量产HBM4，不过实际产品何时出现仍有待观察。
三星采最新10纳米级DRAM 制程制造HBM4 存储芯片层级，并4纳米级逻辑制造2048位元介面HBM4 基础芯片，可直接安装于三星自家SAINT -D 或类似技术处理器。
标准组织JEDEC 固态技术协会公布，HBM4将指定24 Gb和32 Gb容量密度，可选择支援4层、8层、12层和16层TSV堆栈。已就高达6.4Gbps速度达成初步协议，并讨论更高频率。目前很难预测三星初期HBM4 模组配置，不过据称三星明年下半年量产12层HBM4堆叠。
与此同时，竞争对手SK 海力士下半年将量产HBM4，但没透露出样时间。 SK 海力士最初倾向使用1b DRAM 技术制造HBM4存储芯片层级，三星则决定采用1c生产。
SK 海力士将与台积电合作，打造HBM4 基础芯片。台积电在2024 年欧洲技术研讨会上透露，计划采用先进12FFC+（12 纳米级）和N5（5 纳米级）制程技术生产基础芯片。透过台积电技术，除了逻辑整合上更密集、互连间距更细致，存储芯片可直接放置在CPU 和GPU。以台积电的12FFC+制造的基础芯片，可使用硅中介层连接存储芯片与主机处理器。
