【下调】消息称三星下调HBM产能目标至每月17万颗

来源:爱集微 #集成电路#
1087


1.消息称三星下调HBM产能目标至每月17万颗

2.需求见顶?韩国科技出口连续第二个月放缓

3.机构:预估2024年中国大陆芯片出口额950亿美元 同比增长11.4%

4.东芝、英特尔前车之鉴 韩国前科学部长敦促政府支持芯片业

5.1至9月我国汽车产销量同比分别增长1.9%和2.4%

6.艾为电子推出新一代高线性度GNSS低噪声放大器——AW15745DNR


1.消息称三星下调HBM产能目标至每月17万颗

据报道,业内人士透露,三星电子已将2025年底HBM(高带宽内存)最大产能(CAPA)目标降低10%以上,从原来的每月20万颗下调至每月17万颗。鉴于向主要客户的量产供应被推迟,三星似乎对其尖端的HBM设备投资计划采取了保守的态度。

为增强半导体竞争力,该公司还将直接派遣研发人员到工厂,改善与一线生产团队的沟通和协作。

直到去年第二季度,三星电子还计划在2024年年底将HBM的产能提高至每月14万至15万片,并在2025年年底提高至每月20万片。这一结果反映了其主要竞争对手增加HBM产量的应对策略,以及英伟达等主要客户的质量测试即将完成的积极前景。

三星电子在第二季度财报电话会议上曾宣布,“我们计划在第三季度量产并供应HBM3E 8层,下半年12层,符合三星电子的量产计划。”三星预计HBM3E在HBM销售额中的份额将在第三季度快速增至10%,在第四季度达到60%。

但今年下半年情况发生了变化。由于最新一代HBM3E(第五代HBM)8层和12层产品通过英伟达质量测试的时间晚于预期,三星电子在今年年底保守地调整了HBM生产计划。

在产能方面,三星2025年HBM生产目标将从135亿~140亿GB降至120亿GB左右。

一位知情人士解释说,“据我了解,由于HBM业务低迷,三星电子已决定放慢设备投资步伐”,并补充道,“只有在向英伟达批量生产供应后,才会开始讨论追加投资的事宜。”

2.需求见顶?韩国科技出口连续第二个月放缓

韩国科技产品出口连续第二个月放缓,表明全球需求可能已见顶。韩国政府数据显示,存储芯片出货量和价格失去动力。

韩国贸易部周一在一份声明中表示,9月份出口(主要以信息和通信技术为主)同比增长24%,低于8月份的28.5%。动态随机存储器是韩国最赚钱的产品,其出货量增长57.1%,但该增速为去年12月以来的最低水平。

根据该部提供的Dramexchange数据,DRAM和NAND闪存的价格上个月也有所下降。受全球人工智能发展的推动,市场对存储芯片的需求帮助韩国经济增长速度超过最初预期。

三星电子和SK海力士位列韩国最大的盈利来源,韩国严重依赖技术推动贸易,供应智能手机、电脑屏幕、可充电电池和其他嵌入尖端消费品的部件。

科技产品出货量约占韩国出口总额的三分之一。尽管其增长显示出降温迹象,但经济学家和政策制定者表示,增长不太可能迅速放缓,这有助于经济保持增长势头进入明年。这种信心帮助韩国央行维持基准利率高位,直到上周降至3.25%。

3.机构:预估2024年中国大陆芯片出口额950亿美元 同比增长11.4%

DIGITIMES最新研究报告指出,在智能手机需求回温、生成式人工智能(AI)基础建设与汽车产业带动下,2024年中国大陆芯片(IC)进出口金额分别较2023年增长5.2%和11.4%。但中国大陆芯片贸易逆差仍有2383.5亿美元,较2023年增加3%。

分析师简琮训指出,2024年中国大陆进口IC金额预估约为3200亿美元,因中国台湾具备下游晶圆制造、封测产业优势,韩国、马来西亚则分别为存储和封测产业重点地区,将为中国大陆前三大进口IC来源地。自2019年美国对华发起半导体贸易战,中国大陆自美国进口IC金额比重已逐年下滑,2023年已不足3%。

简琮训预估,2024年中国大陆芯片出口金额约为950亿美元,IC出口金额明显增长,为疫情以来次高,反映出中国大陆自主发展半导体已现成效。在出口区域方面主要集中在亚洲,中国台湾、韩国、越南、马来西亚为中国大陆前四大芯片出口地,出口金额比重合计共占70%。

据海关6月份的报告显示,仅在5月份,中国大陆就进口价值300亿美元的集成电路,使2024年1月以来的进口总量达到2130亿块。这些芯片价值约为1480亿美元,同比增长14.9%。

中国大陆5月出口253亿块集成电路,价值120亿美元。自1月份以来,中国大陆半导体出口总值达620亿美元,同比增长21.2%。除芯片外,同期中国大陆计算机及计算机组件出口额同比增长6.1%。

4.东芝、英特尔前车之鉴 韩国前科学部长敦促政府支持芯片业

韩国前工业和科学部长敦促政府采取更积极主动的方式支持国内芯片产业,包括提供直接补贴,以在日益激烈的全球半导体竞争中保持优势。

五位前部长和芯片专家周一(10月14日)在首尔韩国工业联合会组织的一次特别小组讨论中探讨了韩国芯片产业的未来,他们一致认为,政府需要“全方位”的支持,以防止韩国芯片制造商“步东芝和英特尔的后尘”。

韩国全国经济人联合会副主席Kim Chang-beom指出,美国、中国和日本都在提供大量补贴和税收优惠来促进国内芯片产业发展,并呼吁韩国政府出台类似的财政支持计划。

Kim Chang-beom说:“如果这种趋势持续下去,韩国的芯片制造能力将落后于中国。还有一种危机感,即我们将输掉包括人工智能(AI)在内的先进芯片领域的领导地位之争。”

首尔国立大学材料科学与工程系教授Hwang Cheol-seong表示,韩国的竞争优势在不久的将来可能会被削弱,因为韩国芯片巨头目前采用的2D缩放DRAM开发工艺将在未来五年内面临限制。韩国逻辑芯片行业发展缓慢,存储芯片行业可能出现衰退,这对未来构成了风险”

他还警告称,在政府的大力支持下,中国企业正在迅速进入全球存储器市场。

市场追踪机构TrendForce报告称,今年7月~ 9月,中国企业在全球存储芯片市场的份额仅占6%,但预计明年第三季度这一数字将上升至10.1%。

2013年至2016年担任韩国工业部长的Yoon Sang-jik解释说,发展芯片产业需要满足劳动力、资金、电力和数据四个先决条件,并指出韩国的电力供应条件较差。

Yoon Sang-jik表示:“通过制定特别立法,我们应该迅速完成被推迟的输电网络建设、新建核电站,并加快下一代小型模块化反应堆的商业化。”

曾于2022年至2024年担任科学部长的芯片专家Lee Sang-ho强调,在人工智能时代,节能芯片的技术创新必不可少。

他说:“通过学术界、产业界和研究机构之间的合作,我们应该开发低功耗芯片,以减少人工智能的巨大能源消耗。”

Lee Sang-ho表示:“东芝和英特尔的案例表明,创新失败、投资失误以及缺乏支持可能会导致曾经占据主导地位的公司崩溃。”

东芝曾是21世纪初全球第一大NAND闪存芯片制造商,但最终于2023年12月退出股市,结束了其74年的上市公司历史。

英特尔也是领先的集成设备制造商(IDM),曾以2016年第三季度82.6%的市场份额称霸中央处理器(CPU)市场。现在,该公司陷入困境,在2024年第二季度录得16.1亿美元的净亏损,并正在考虑剥离其亏损的代工业务。

5.1至9月我国汽车产销量同比分别增长1.9%和2.4%

中国汽车工业协会12日发布数据显示,1至9月,我国汽车产销量达2147万辆和2157.1万辆,同比分别增长1.9%和2.4%,汽车产销量保持同比稳步增长态势。

据中汽协副秘书长陈士华介绍,9月份,我国汽车产销量分别达279.6万辆和280.9万辆,环比分别增长12.2%和14.5%,同比分别下降1.9%和1.7%。

1至9月,我国新能源汽车产销量达831.6万辆和832万辆,同比分别增长31.7%和32.5%,新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的38.6%。

“近期,汽车报废更新补贴申请量加快增长,有效带动汽车销量提升。”陈士华表示,三季度,随着国家汽车报废更新补贴力度加强,地方置换更新政策陆续生效,加之车企纷纷推出秋季新品,乘用车市场逐渐回暖,特别是终端零售市场持续走强,“金九”效应继续显现。(来源: 人民网)

6.艾为电子推出新一代高线性度GNSS低噪声放大器——AW15745DNR

随着科技的飞速跃进,个人导航与定位设备市场迎来了前所未有的繁荣,对GNSS LNA的需求也水涨船高。同时,日益增多的通信终端加剧了设备间的信号干扰问题。在此背景下,艾为电子凭借其深厚的技术积累与创新实力,推出新一代高线性度GNSS LNA产品——AW15745DNR。

图1 AW15745DNR应用场景

- AW15745DNR主要特性 -

  • 频率范围:GNSS L1、L2 and L5

  • 输入电压范围:1.08V-3.3V

  • 噪声系数:0.65dB@L1,0.6dB@L2 and L5

  • 增益:18.5dB

  • 耐受功率可达30dBm

  • 输入三阶交调点:4dBm@L1,2dBm@L2,1.5dBm@L5

  • 封装:DFN-6L 1.1mm×0.7mm×0.45mm

产品优势一

高线性度

在复杂的电磁环境中,AW15745DNR以其行业领先的线性度表现脱颖而出。其高输入三阶交调点(IIP3)在L1频段达到4dBm,L2频段为2dBm,L5频段达到1.5dBm。可以有效抑制干扰信号,减少IMD3(三阶互调失真)对主频信号的影响,确保接收灵敏度的稳定与精准。

图2 AW15745DNR与市场主流产品IIP3对比

产品优势二

一个匹配位支持L1、L2和L5频段

区别于传统产品,AW15745DNR在L2与L5频段上实现了仅需一颗输入匹配即可兼容的突破,极大地节省了主板空间与物料成本,为客户带来更为经济高效的设计方案。

图3 AW15745DNR应用图

产品优势三

支持1.2V供电

如今平台供电的趋势逐渐向低压发展,AW15745DNR支持2.8V、1.8V和1.2V供电,其中突破性的1.2V低压,高度契合了当前及未来芯片供电电压逐渐降低的趋势,具有更广泛的应用场景。

- 总结 -

AW15745DNR的推出,不仅标志着艾为电子在GNSS LNA领域的又一重大突破,更为整个行业带来了更加高效、可靠、经济的解决方案。其高线性度、单匹配位设计及灵活供电特性,使之成为应对复杂干扰环境、降低设计成本、引领未来趋势的理想选择。在追求极致性能与成本效益的终端设计中,AW15745DNR无疑是值得优先考虑的艾为电子明星产品。(来源: 艾为电子)


责编: 爱集微
来源:爱集微 #集成电路#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...