2024年10月15日至16日，备受瞩目的第八届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）在浙江嘉兴南湖宾馆隆重举行。众多半导体行业精英企业与专家学者齐聚一堂，共同探讨先进光刻技术的未来发展之路。睿晶半导体技术研发中心副总李德建受邀参与此次盛会，为半导体领域带来了精彩的分享与深刻的洞察。
睿晶作为半导体行业的新兴力量，一直致力于在光罩技术创新与产品质量上不断突破。此次研讨会上，李总首先对睿晶半导体企业进行了介绍，睿晶凭借其经验丰富、专业技术过硬的研发团队、严格的质量管控体系和高效的生产运营模式，在半导体行业中迅速崛起，公司专注于半导体光掩模版制造的关键环节，不断投入大量资源进行技术攻关，创立至今始终致力于为客户提供高品质的半导体产品和解决方案。
随后，李总对当前成熟节点掩模制造产业现状发表了自己的观点。李总表示，在半导体制造中，光掩模版是将电路设计图案转移至晶圆上的母版，故光掩模质量对晶圆工艺控制和良率管理至关重要。随着集成电路制造业的快速发展，电路图案的临界尺寸（Critical Dimension, CD）随着摩尔定律而缩小，进而导致光掩模上图案的复杂性和掩模误差增强因子（Mask Error Enhancement Factor, MEEF)更高。因此，无缺陷的光掩模起着重要作用。近年来，随着国内半导体产业的蓬勃发展，晶圆厂对掩模的需求越来越旺盛，特别是对成熟节点，这就对掩模版质量和出货效率提出了更高的要求。因此，如何实现高效、稳定的光掩模供应是产业界对Mask Shop的新要求。
本次报告中，李总详细讲解了光掩模的制造流程。在传统缺陷处理流程中，往往通过图形检验、修补以及AlMS（Aerial lmage Measurement system）模拟量测方式来实现光掩模的“零缺陷”。但对所有可疑缺陷进行AIMS量测成本高且耗时长，业界急需一种快速、准确和经济的方式，进而从检验结果中准确快速地模拟出晶圆上的曝光结果。LPR（Lithography Printability Review）是KLA开发的一种低成本、高精度的空间模拟成像产品。在LPR评估过程中，通过PDM（Programmed Defect Mask)掩模图形和大量产品图形进行验证，LPR模拟结果与AIMS量测结果相匹配，CDE（CD Error）小于±15%条件下，两者间的差异全部在±2%以内，即LPR展现出了高的准确性和匹配度，可以成为AIMS系统的重要补充或backup方法。通过将LPR技术引入至生产流程中，可以快速过滤缺陷，从而节省成本、提高生产效率。
李总此次报告内容丰富、专业性强，引起了与会者的广泛关注和热烈讨论。通过此次会议，睿晶不仅展示了其在半导体领域的技术实力和创新能力，也为行业的发展提供了有益的参考和借鉴。未来。睿晶半导体将继续秉承创新、合作、共赢的理念，不断加强技术研发和人才培养，为半导体行业的发展做出更大的贡献。相信在睿晶在内的诸多优秀企业共同努力下，中国半导体行业将迎来更加美好的明天。
