天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118804598A。
本发明提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列，包括P型衬底；位于P型衬底内的N阱；位于N阱上的挨着的第一、第二和第三多晶硅栅，第一多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第一多晶硅栅极；第二多晶硅栅包括栅氧层和位于栅氧层上方的第二多晶硅栅极；第三多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第三多晶硅栅极；以及源极和漏极。本发明还提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列的操作方法，在N阱、第一、第二和第三多晶硅栅极、源极和漏极施加各操作电压，以实现写入、擦除和读取操作。本发明的P沟道分栅SONOS存储器阵列既比传统的SONOS存储阵列节省面积，在工艺制造中，又比N沟道SONOS存储器省了一张深N阱的光罩，节约了工艺成本。
