1.三星电子高管重大调整，137名员工获得晋升；
2.Vishay将向收购的NWF晶圆厂投资5100万英镑；
3.铠侠12月或将减产 NAND报价有望止跌或反转；
4.机构：全球DRAM市场Q3营收大增13.6%至260亿美元；
5.日本宣布今年将额外拨款99亿美元用于芯片和AI
1.三星电子高管重大调整，137名员工获得晋升
三星电子公司11月29日进行了一次重大高管改组，提拔一批年轻员工担任高级职位，以将更多精力放在高端技术上，克服持续的业务挑战。
“为了应对当前的商业危机，三星电子采取了任人唯贤的人力资源更新方式，将经验丰富的人才提拔到领导岗位，”三星在一份声明中表示，“我们选拔了具有卓越管理业绩和增长潜力的年轻领导者，以大胆应对国内和全球市场的不确定性。”
今年，137名员工获得晋升，其中包括35名新任副总裁和92名新任董事总经理。总人数略低于去年的143人。
值得注意的是，一名新晋升的董事总经理年龄为30多岁，八名新任副总裁年龄为40多岁。
近期，三星重组了半导体部门，进行领导层改组，半导体部门是三星业务的关键部门，在全球人工智能（AI）芯片市场面临着日益激烈的竞争。
三星副董事长兼半导体部门负责人全永铉（Jun Young-hyun）被任命为公司联席CEO，并将领导存储业务。此外，副总裁Han Jin-man被提升为总裁，并被指派领导陷入困境的晶圆代工业务，该业务已亏损数万亿韩元。
2.Vishay将向收购的NWF晶圆厂投资5100万英镑
Vishay Intertechnology（威世科技）是一家著名的分立半导体和无源元件制造商，将面向位于威尔士的纽波特晶圆厂（Newport Wafer Fab，NWF）投资5100万英镑。该晶圆厂是今年初从Nexperia（安世半导体）手中强制收购过来的。
这项投资得到威尔士政府500万英镑的支持，威尔士政府还支持该地区的其他半导体公司。
这项投资将支持建设功率器件的新生产线和向碳化硅（SiC）功率器件的转变。在Nexperia收购之前，该晶圆厂拥有一条小型氮化镓（GaN）器件代工厂线。
另一家美国公司KLA（科磊）正在纽波特的Imperial Park建造其新的欧洲总部，此前该公司收购了Orbitech旗下的半导体设备制造商SPTS。
这项耗资1亿美元的开发项目正在创建开发中心和制造设施，并将包括用于研发和制造的洁净室。目前已在招聘多达750名员工。
位于纽波特附近的复合半导体应用弹射中心还开设了一条价值160万英镑的复合半导体封装试验线。
Microlink Devices和CS Connected是这座占地51000平方英尺的卡迪夫门创新中心的首批租户，而斯旺西大学半导体材料中心一项价值250万英镑的净零排放研究项目正在与Vishay合作，研究如何减少半导体行业的排放。
“复合半导体无处不在——在我们的家中、手机中、火车中和涡轮机中。它们是现代世界运转的重要组成部分，尽管微不足道，但全球增长前景非常强劲。而我们威尔士正日益成为其生产和制造领域的世界领先地区。”威尔士政府经济、能源和规划内阁秘书Rebecca Evans表示。
“经过十年的集群培育，我们现在正在收获我们承诺的回报，我们将继续推动这一承诺。”
威尔士将于2025年春季迎接加拿大半导体公司的访问。
3.铠侠12月或将减产 NAND报价有望止跌或反转
据报道，存储产业人士表示，NAND Flash主要供应商之一的铠侠将于2024年12月进行减产，将有助于NAND Flash报价止跌或反转。此外，服务器需求仍将支撑NAND需求。
市场调查机构TrendForce表示，NAND Flash第四季度将面临更大挑战，即便企业级SSD价格可望持平，但其余类别产品合约价已开始下跌。加上消费品牌商将在年底前降低库存，导致订单动能明显减弱。
业界消息称，NAND Flash供应大厂铠侠商可望于2024年12月进行减产，将有助于报价止跌或反转，加上数据中心建设完成后，云端服务供应商（CSP）将资本支出转向企业级SSD，将持续推动16TB以上企业级SSD需求，后市并不悲观。
报道称，NAND Flash短期仍受中国大陆模组厂亏损抛售产品至现货市场影响，现货价、合约价将逐季减少5～10％，但2025年NAND Flash市场在原厂减产效应，AI服务器、通用型服务器高容量eSSD需求维持强劲下，待终端消费型产品需求回温，预期整体NAND Flash市场将恢复供需平衡。
营收方面，TrendForce表示，2024年第三季度全球NAND闪存行业的位出货量环比下降2%。但ASP（平均销售价格）上涨 7%，推动整体收入达到176亿美元，环比增长4.8%。
TrendForce表示，第三季度NAND闪存定价趋势在各个应用领域呈现分化。企业级SSD需求强劲，推动平均售价上涨近15%，而客户级SSD价格在订单减少的情况下仅出现小幅增长。
4.机构：全球DRAM市场Q3营收大增13.6%至260亿美元
据分析机构TrendForce的研究显示，2024年第三季度全球DRAM市场规模达到260.2亿美元，环比增长13.6% 。
这一增长主要得益于数据中心对全球DRAM和HBM产品需求的增加，尽管由于中国智能手机品牌减少库存以及中国DRAM供应商扩大产能，LPDDR4和DDR4的出货量有所下降。
ASP（平均销售价格）延续了上一季度的上升趋势，合约价格上升了8%至13%，这得益于HBM取代传统DRAM生产。
展望2024年第四季度，TrendForce预计整体DRAM出货量将环比增加。该机构表示，由于HBM生产导致的产能限制预计对价格的影响将“弱于预期”。中国供应商的产能扩张可能会促使PC OEM和智能手机品牌“积极去库存”以获取价格更低的DRAM产品。因此，传统DRAM的合约价格以及传统DRAM和HBM的混合价格“预计将下降”。
服务器和PC DRAM合约价格的上涨在第三季度提升了三大DRAM制造商的收入。三星以107亿美元的营收保持了第一的位置，环比增长9%。通过战略性地清理LPDDR4和DDR4库存，三星的出货量与上一季度持平。
SK海力士的营收为89.5亿美元，环比增长13.1%，保持了第二的位置。尽管其HBM3e出货量增加，但由于LPDDR4和DDR4销售疲软，出货量环比下降了1%至3%，抵消了这些收益。
美光的营收环比激增28.3%，达到57.8亿美元，得益于服务器DRAM和HBM3e出货量的“强劲增长”，导致出货量环比增加了13%。
南亚科由于消费类DRAM需求疲软以及供应商在DDR4市场的激烈竞争，出货量环比下降超过20%。其营业利润率进一步从-23.4%恶化至-30.8%，反映了因停电事件造成的损失。
华邦电子的营收环比下降了8.6%，降至1.54亿美元，原因是消费类DRAM需求疲软和出货量减少。力积电自产消费类DRAM的营收环比下降了27.6%。然而，包括代工收入在内，其总DRAM营收环比增长了18%，得益于其代工客户持续的库存补充。
5.日本宣布今年将额外拨款99亿美元用于芯片和AI
据报道，日本将再拨款1.5万亿日元（99亿美元）用于推动其芯片和人工智能（AI）技术，包括代工项目Rapidus。
在截至2025年3月的财年政府额外预算中，日本拨出1.05万亿日元用于开发和研究下一代芯片和量子计算机相关领域技术，另外4714亿日元用于支持国内先进芯片生产。日本经济产业省表示，尚未决定其中有多少将拨给Rapidus。
作为全球一些最大的半导体材料和设备制造商的所在地，日本正在努力跟上由中国和美国引领的全球尖端技术支出热潮。政策制定者认为，芯片是开发卓越人工智能和国家安全的关键。
补充预算分配是首相岸田文雄承诺在2030财年之前为芯片和人工智能提供逾10万亿日元新支持的一部分。他和内阁成员表示，国内半导体生产对日本的经济安全至关重要。该额外预算已于周五获得日本内阁批准，预计将在年底前由议会通过。
日本在过去三年中已拨出约4万亿日元用于芯片相关支持，承诺向台积电位于日本南部熊本县的工厂以及美光科技在广岛工厂的扩建项目投入数十亿美元，以生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进DRAM芯片。日本政府还为Rapidus在北海道的工厂预留约9200亿日元。
Rapidus试图从零开始建立领先的芯片制造能力，严重依赖日本政府支持，其目标是在2027年实现大规模生产2nm芯片。
另外，在去年额外预算中获得的资金中，日本经济产业省批准了总额为1017亿日元的补贴，用于将有助于巩固该国分散的高科技供应链的项目。其中高达705亿日元将用于支持电装和富士电机公司共同投资2120亿日元，以提高电动汽车使用的碳化硅（SiC）晶圆和功率芯片的生产。去年，经济产业省批准向东芝和罗姆提供补贴，这两家公司正在合作生产功率半导体。
