12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（“英诺赛科”或“公司”，股票代号：2577.HK）在香港联合交易所成功上市。英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。
英诺赛科此次IPO全球发行45,364,000股，发行价格为每股30.86港元，总募集金额约14.0亿港元（假设超额配售权未获行使）。此次英诺赛科成功引入STMicroelectronics Limited、江苏国有企业混合所有制改革基金、江苏苏州高端装备产业专项母基金及苏州东方创联投资管理有限公司等四家机构作为基石投资者，四家基石投资者共计投资金额约7.75亿港元。
上市首日，英诺赛科开盘价为31港元/股，截至上午10时50分，英诺赛科报32.15港元/股，涨4.18%，总市值超282亿港元。
英诺赛科董事长骆薇薇博士表示，“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓芯片制造企业。此次在香港交易所的上市，是公司发展历程中的一个重要里程碑，标志着我们将以更广阔的视野和更坚定的步伐，迈向全球市场。英诺赛科相信GaN可以改变世界，打造更加绿色的地球家园。作为全球氮化镓行业的领军企业，我们将持续专注技术创新，赋能全球客户体验高频、高效、绿色节能的氮化镓产品。”
氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心，而且即将加速市场渗透。第三方机构统计预测，2023年，氮化镓功率半导体占全球功率半导体市场的0.5%，并预期于2028年占市场的10.1%。凭借持续创新及强大的技术专业知识，英诺赛科设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模块。英诺赛科的产品广泛用于多种行业的电源应用中，例如消费电子产品的快速充电器和适配器、可再生能源的电池管理系统及工业应用、汽车电子的LiDAR系统及数据中心的电源装置。
英诺赛科已采用集成器件制造商的IDM模式，藉此可自行把控由制成品设计、制造、包装、测试到销售的整个流程。截至2024年6月30日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月12,500片晶圆。该能力使英诺赛科能够以稳定的供应抓住不断增长的市场机会，从而培养客户的信心。与6英吋硅基氮化镓晶圆相比，英诺赛科先进的量产技术亦使每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%，体现英诺赛科在氮化镓产品持续创新及商业化方面的成本优势和领导地位。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计公司于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中收入排名第一。
