数据中心是云计算底层最核心的基础设施，肩负着对数据进行集中存储、计算和交换的职责。随着物联网、人工智能等技术的快速发展，数据中心正进一步演化成为智能数据中心，数据和计算量都在指数级增长，能源消耗也急剧增长，提升系统效率和降低能耗成为关键。
宽禁带半导体（第三代半导体）氮化镓（GaN）因其卓越的高频高效低损耗特性，可以大大提升数据中心的供电效率并显著降低能耗。英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者，始终致力于氮化镓产品的研发与创新。针对数据中心领域，开发了多系列分立和集成氮化镓产品，能够最大限度提升效率，减少能源浪费。
1 应用于服务器电源的供电单元电源 (PSU)
服务器电源供应单元电源（Power Supply Unit, 简称PSU）
针对数据中心的前端输入侧——服务器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC环节，英诺赛科推出了15款功率器件、驱动芯片和合封芯片，打造钛金能效的高效率、低功耗的PSU，实现服务器的稳定性和可靠性。
2 应用于数据中心主板电源 (Mother board)
在数据中心的主板电源应用中，英诺赛科共有8款分立和集成芯片，满足54—12V供电环节的高效率高功率密度需求。
3 产品优势
SolidGaN 是英诺赛科高集成度氮化镓合封芯片，覆盖电压分别为100V和700V，具备集成过温过流保护，集成米勒钳位，兼容Si/SiC驱动，与当前通用产品相比，英诺赛科SolidGaN在系统中的应用更简单，同时安全性更高，更可靠。
英诺赛科驱动产品 GaN Driver，分别涵盖100V半桥和700V单通道，可用于驱动低侧、高侧或次级侧氮化镓开关管，与行业同类型产品对比，英诺赛科氮化镓驱动器具备输入电压更宽，驱动能力更强，保护功能更多等优势；在实际方案中，可独立调节驱动开关速度，应用更灵活。
在应用端，英诺赛科根据市场需求开发了多款应用方案，如符合钛金能效的2KW-4.2KW PSU, 1KW-8KW的高效高功率密度的48V转12V的DC-DC电源解决方案等，在市场端，英语赛科已经与多家数据中心头部厂商展开合作。
作为全球功率半导体革命的领导者，英诺赛科希望保持与行业上下游的紧密配合，共同打造更节能、高效、低碳化的数据中心，减少能源消耗，为可持续发展贡献力量。
