【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】成都铭科思微电子技术有限责任公司
【候选奖项】年度技术突破奖
【候选产品】 C/X/Ku波段Beamformer芯片，MSR1001E
成都铭科思微电子技术有限责任公司（以下简称“铭科思”）成立于2008年9月9日，注册资本10811.6821万元，是一家全频段信号链路核心芯片和解决方案提供商。注册地址位于成都市成华区崔家店路75号成华区东广科创中心，法定代表人李明。公司产品全自主正研，属半导体产业中模拟芯片/微波射频细分领域，已实现模拟芯片领域“卡脖子”核心技术国产化突破，现居行业头部地位。
目前，铭科思拥有近150项核心自主知识产权（含一类67项，其中发明专利29项、集成电路布图设计38项，同步拥有10项自主商标品牌）知识产权矩阵覆盖核心技术研发、产品设计及品牌运营全链条。三项关键核心技术经权威评定达到国际先进、国内领先水平，更是彰显了在细分领域的前沿创新能力。
铭科思研发团队由6位博士领衔，核心成员均来自集成电路顶尖院校，平均拥有15年以上信号链产品研发经验，承担过若干国家重要科技攻关项目及装备研制任务，研发人员占比60%，80%以上技术员工毕业于985或国外知名大学。累积研发投入近4亿元。构建前沿技术与工程能力兼备的芯片研制平台及量产测试基地，产品覆盖模拟、射频及数模混合电路领域。
该公司先后荣获国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、全国集成电路标准化技术委员会工作组成员单位，四川省企业技术中心、成都市微波射频产业协会副会长单位及重点产业链企业多项荣誉，并且特殊行业资质齐备。
铭科思主营业务包括两类，一类是高精度、高速信号转换芯片（ADC），包括ADC（模数转换器）和DAC（数模转换器）等， 该技术是模拟芯片领域的“皇冠明珠”，也是突破我国“卡脖子”困境的核心关键，公司在该系列产品布局已实现所有ADC架构全覆盖，产品导入多个头部客户，形成批量供应；另一类是硅基射频芯片，包括射频幅相多功能芯片、混频器等，该芯片是相控阵雷达T/R组件中最核心的芯片，铭科思已做到国内性价比最优。截止目前，公司已能提供百余款供销售的产品型号，所有产品均已实现国内标准工艺量产。
得益于深厚的技术积累和雄厚的研发投入，铭科思推出的多款产品广泛受到业界的好评和认可。铭科思的超宽带幅相多功能芯片MSR1001E的射频带宽为5~18GHz，集成了4路接收通道和4路发射通道以及对应接收的功率合成和对应发射的功率分配网络，支持高精度的7bit相位控制和6bit幅度控制，可应用于特殊领域相控阵雷达、信号探测与电子对抗等场景，深度契合相控阵行业技术演进方向和客户核心述求。，目前已经规模量产，凭借稳定可靠的性能，成功适配多个宽带和窄带相控阵重点项目与终端产品，为行业应用提供高效解决方案。
据铭科思透露，MSR1001E主要涉及到CMOS射频芯片宽带化技术和射频芯片高集成技术两方面的技术。CMOS射频芯片宽带化技术包括超宽带设计技术和精准的相位幅度控制及其正交性设计技术，此芯片射频中心工作带宽为5~18GHz，相对带宽达到了113%（3.6倍频程）。传统的窄带设计方案往往相对带宽在10%~30%之间，不能满足本项目的超宽带应用场景，需要超宽带设计技术来拓展射频带宽。同时，本项目相位控制要求在5GHz-18GHz的超宽带内满足7bit（LSB=2.8°），相位精度的控制要求极高，对晶体管及无源器件的寄生极其敏感，需精准的相位控制技术。幅度控制要求满足6bit（LSB=0.5dB）也是高精度大动态（31.5dB调节范围）幅度调节，容易产生偏差，需精准的幅度控制技术。此外，幅度控制和相位控制都伴随着一定的寄生误差。控幅时除了产生幅度误差，还同时有寄生的相位误差；控相时除了产生相位误差，还同时有寄生的幅度误差。为了减小系统应用时校准的工作量，需采用保持控幅和控相相对正交性的技术。
MSR1001E利用CMOS工艺本身具备的高集成特性，将射频、模拟、电源调制和数字波控等各种功能集成到一款芯片上。除需要CMOS工艺下射频功能性能需要能够满足设计要求外，还需要系统芯片的小型化技术和正负电压片上共存技术。具体来看，本芯片裸片的面积为4.00mm×4.16mm。系统结构为4路发射通道和4路接收通道，集成控幅、控相、放大、切换及必要的合成/功分网络，集成度很高，包含了多个功能模块，需要小型化设计技术。另外，本项目的电源调制模块整合了正负电压输出功能，其中引人关注的是负压及高压电路实现技术。铭科思在传统电路上使用特殊技术，解决了PMOS晶体管bulk端必须接大于等于零的电压以避免Psub与NW之间由于压差过大导致正向导通使得所需负压发生偏移的问题，并通过多堆叠技术与配套逻辑控制电路，使得电路能够输出大于其耐压的电压值而不发生超压。
此次，铭科思凭借MSR1001E的创新技术突破，竞逐“IC风云榜”年度技术突破奖。该奖项表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。 【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2025年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性50%；
2、技术或产品的主要性能和指标30%；
3、产品的市场前景及经济社会效益20%。
（校对/张杰）
