根据Wccftech报导，Qualcomm旗舰款Snapdragon X2 Elite Extreme确认采用台积电3纳米N3X制程，最高配置达18核心，单核心或双核心时脉可上看5.0 GHz，整体晶体管数量约310亿颗。
报导指出，Snapdragon X2 Elite Extreme的一项优势，在于电池供电下的效能稳定度。即便在约40W的功耗区间，处理器仍能维持相对一致的效能输出，插电与不插电之间的效能落差不大，较符合行动笔电长时间使用的实际需求。
进一步来看，Snapdragon X2 Elite Extreme采用的是3奈米N3X节点，这也是商用芯片首度未采用台积电3奈米N3P制程。该制程为高效能运算（HPC）取向设计，相较N3P可带来约5%的效能提升。
不过，为了进一步拉高时脉与峰值效能，X2 Elite Extreme在不受限制情况下，功耗可上升至100W，也同步提高了散热设计、能效表现与机身结构上的挑战。
存储器方面，Snapdragon X2 Elite Extreme采用192-bit存储器总线，最高支援128 GB存储器，并搭配9523 MT/s存储器速度，整体频宽可达228 GB/s。相较之下，该频宽高于部分苹果M系列机种，但仍低于苹果M4 Pro所提供的约273 GB/s。
从目前公开的测试结果来看，Snapdragon X2 Elite Extreme在CPU与GPU的整体性能表现上，仍未能超越苹果M系列处理器，显示其在效能／瓦表现上仍存在差距。
不过，相关测试数据仍有限，实际产品上市后的表现，仍有待更多实测结果进一步验证。
