武汉新芯:SPI NOR Flash将向小封装、高速度发展

来源:爱集微 #武汉新芯#
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9月9日,2020深圳国际电子展(ELEXCON)于深圳国际会展中心召开。武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)携自有产品和工艺亮相ELEXCON 2020,向外界展示了50nm Floating Gate(FG50)宽电压SPI NOR Flash芯片和终端应用方案。

近期以来,受疫情和国际形势变化,存储器价格持续下跌。对此,武汉新芯华南区销售总监余洪峰接受集微网专访时表示:“现在整个消费市场的需求不是很旺盛,但各家都还是在努力提升自己的业绩;但同时,产品毕竟有其固定的物理成本,想往上冲或向下跌空间有限,因此我们的看法是,目前的价格水平不会大起大落,接下来的竞争将集中在谁能尽快将产品导入新的制程。”

快速崛起的武汉新芯

 据悉,武汉新芯是一家晶圆研发制造企业,专注于先进特色工艺开发,重点发展晶圆级三维集成技术、特色存储工艺和先进模拟射频工艺平台。在NOR Flash领域,武汉新芯提供从90nm到45nm的高性能NOR Flash 代工服务,并在2017年推出自有品牌的NOR Flash产品。截至2019年底,NOR Flash 晶圆累计出货量达85万片。

余洪峰表示,武汉新芯在此次电子展展出的产品为自有品牌NOR Flash芯片,以及其代表性的应用,如安防摄像头、无线通讯模块等产品,可用于通讯、监控、安防、可穿戴等物联网领域。

SPI NOR Flash将向小封装、高速度发展

在全球NOR Flash存储芯片领域,目前业界通用工艺节点为65nm。2020年5月13日,武汉新芯宣布其采用最新50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产。该产品容量覆盖16Mb到256Mb,支持低功耗宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

余洪峰坦言,该产品的研发难点在于其工艺:“我们的工艺经过几年研发,加上工厂的投入,这些都是异常艰辛的过程。”他表示,SPI NOR Flash产品后续将往高容量、小封装、高速度和高可靠性发展,为后续拓展打好坚实基础。

通常来说,存储芯片可分为DRAM和Flash,Flash包括NOR Flash 和NAND Flash。其中,几乎所有需要存储系统运行数据的电子设备都需要使用NOR Flash,加上诸如以TWS耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的AMOLED和TDDI技术,以及车载电子等新兴应用的助推,NOR Flash芯片的应用领域和市场空间不断扩大。

就产品的具体应用方面,余洪峰指出,在监控行业,武汉新芯已基本和国产大公司全面铺开合作;在可穿戴行业,因为多数可穿戴设备需要一天一充,所以对产品来说,最大痛点就是续航问题,武汉新芯目前要解决的就是如何做到低功耗、小封装和高速,从而给电池留下更大的空间。目前,武汉新芯的50nm在NOR Flash产品已做到全球领先的工艺,后续将会在小尺寸、高运算速度方面有更大突破。

武汉新芯持续推进NOR Flash产品研发

据了解,目前市场上NOR Flash供应商达到20家以上,整个NOR Flash行业都处于百花齐放的状态。在生产方面,目前武汉新芯是国内唯一拥有晶圆厂的NOR Flash企业,共有FAB A 和FAB B 2座12寸晶圆厂,每座晶圆厂最大月产能可达3万片,其中,NOR Flash在FAB A已实现月产1.2万片,未来将扩产到月产2万片。

余洪峰表示:“公司最大优势在于工艺技术、产能和质量的保障,我们对供货的信心非常足。”

那么在保障产能的同时,如何进一步提升产品的行业竞争力?余洪峰提到,武汉新芯涉足NOR Flash行业的时间较久,从2008年第一片NOR Flash晶圆下线,到2017年开始推出自有品牌NOR Flash芯片,公司在NOR Flash领域已经积累了10多年的研发制造经验。由于自有品牌成立时间较短,所以目前的主力是放在消费类产品上。“我们消费类产品的目标是提升市场知名度,所以研发团队也正往高品质的方向努力,后续将把重点放在医疗、工控和车规等高品质、附加价值较高的行业。” 

此外,随着越来越多的本土半导体厂商涉足NOR Flash领域,行业的竞争也比较激烈,但余洪峰认为武汉新芯仍旧拥有比较明显的竞争优势:第一,公司成立于2006年,在生产制造方面经验十足;第二,目前在所有晶圆厂当中,公司是第一家推出了50nm Floating Gate工艺,工艺方面更加成熟;第三,公司供货的持续性和质量均可保障。

对于未来的发展战略,余洪峰强调:“武汉新芯一定会大力推动NOR Flash产品的迭代升级,在产能的保障下,随着技术和品质的进一步提升,武汉新芯有信心跻身NOR Flash行业前列。”(校对/Jack)

责编: 邓文标
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