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氮化镓产业向上生长,英诺赛科“All-GaN方案”如何领跑?

来源:爱集微

#英诺赛科#

09-10 18:49

集微网消息,2小时、1小时、半小时、15分钟……“人类伴侣”手机的充电速度在短短数年间不断冲破极限,而在这背后,氮化镓一词也频频被提及。事实上,正是因为氮化镓为代表的第三代半导体技术的突飞猛进,才有了快充技术臻于完美的体验。

今年3月,野村证券发表的产业报告显示,未来2-3年,第三代半导体将重塑全球电源市场,取代用硅制作的功率器件。野村证券报告还预估,2023年,这个市场产值每年将以增速60%以上的速度成长。在此大趋势下,各大厂商争先涌入,第三代半导体的竞争已然进入白热化。百舸争流,谁将成为真正的明日之星?英诺赛科或许是最具潜力的种子选手。

9月9日,PCIM Asia 2021大会如期召开,在SiC与GaN功率器件技术与应用分析大会分会场上,英诺赛科产品应用副总陈钰林以USB PD3.1协议扩展了USB PD3.0的输出范围为背景,发表了《All-GaN系列方案及其应用趋势》的主题演讲。 

随着电池容量增加以及快充用户体验的提升,高功率充电器发展迅猛;在功率大幅度增加的同时,消费者对充电器体积要求越小越好,因而需要更高功率密度的器件才能满足,此外,USB PD3.1协议的扩展也对电源的设计提出了新的挑战。采用氮化镓(GaN)/碳化硅等宽禁带材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率,开启了功率电子的新时代。

为此,英诺赛科推出了从65W到240W全系列的All-GaN解决方案,进一步提高了功率密度和效率。

陈钰林介绍到,英诺赛科All-GaN的解决方案有三种:65W 2C1A,120W单C和240W 48V/5A。

其中,65W方案采用ACF+BUCK架构,功率密度达25W/in3,与传统Si 30W快充体积相似。

120W 方案采用Boost PFC+ACF架构,功率密度达38W/in3,与传统65W快充对比,尺寸相当。

240W(PD3.1 48V5A)方案采用Totem pole 无桥PFC+LLC设计,功率密度高达41W/in3,尺寸仅为一张银行卡大小。

针对All GaN方案,英诺赛科推出了150V器件,与目前市面上最高标准的150V Si MOS相比,Ron*Qg有6倍的优势,Ron*Coss有2.4倍的优势,Ron*Area有2.5倍优势,综合性能可提升2-3倍。可为系统带来了高频,高边同步整流自供电,无反向恢复电荷,同时更利于合封集成四大优势。

得益于丰富的InnoGaN系列产品线,英诺赛科在消费类电源市场高歌猛进,当前出货量已突破3000万颗,为联想、努比亚、品胜、MOMAX、QCY等60多家客户推出先进的氮化镓解决方案,并与合作伙伴共同推出优秀的氮化镓应用方案。

面向未来,陈钰林提到,All GaN方案在消费类、数据中心、电动汽车三大领域都将有广泛的应用机会。据他透露,不久前OPPO发布的最新一代手机,内置的氮化镓电子开关正是氮化镓双向开关器件。

作为全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业,英诺赛科正以其里程碑的突破改变和引领全球第三代半导体的发展。据了解,英诺赛科目前珠海生产基地产能有4K片/月,今年6月苏州产线量产通线,第一阶段产能将达到6K片/月,满产后产能可达65K片/月。随着英诺赛科苏州工厂的成功量产,英诺赛科也将做好全面准备去迎接氮化镓时代的到来。

责编: Aki

木棉

作者

微信:lm071137

邮箱:limei@lunion.com.cn

作者简介

关注半导体制造、设计,通信等领域,聚焦中国台湾地区产业的风向与动态。

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