西安紫光国芯SeDRAM™斩获第十六届“中国芯”年度重大创新突破产品奖

作者：爱集微 2021-12-21

来源：紫光国芯 #紫光国芯#

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12月20日下午，2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会暨“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海开幕。本次大会由中国电子信息产业发展研究院、珠海市人民政府、横琴粤澳深度合作区执行委员会主办。本届大会的主题是“链上中国芯成就中国造”。

第十六届“中国芯”优秀产品征集结果介绍及发布仪式是本届大会的一大亮点。“中国芯”评选活动是国内集成电路领域最具影响力和权威性的行业会议之一，16年来持续鼓励中国集成电路行业产品创新、技术创新和应用创新，推动国内集成电路企业实现关键技术的突破，并积极影响和带动了中国半导体行业的整体发展。

本次“中国芯”评选活动共设置五大奖项，其中压轴的“年度重大创新突破产品奖”主要授予本年度有重大技术创新，对我国集成电路产业发展具有重大意义的芯片产品，共有38家企业申报。最终，包括西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）在内的三家企业芯片从40款产品中突围，成功斩获含金量极高的“中国芯”年度重大创新突破产品奖，技术驱动国内集成电路行业的创新发展。

“年度重大创新突破产品奖”颁奖仪式

SeDRAM™突破性能瓶颈

根据进一步了解，西安紫光国芯此次获奖的异质集成嵌入式DRAM（SeDRAM™）可以突破冯•诺依曼架构的性能瓶颈，能够满足高性能计算、人工智能、近存计算、智能物联网等应用场景对高带宽、高容量内存的需求。

西安紫光国芯SeDRAM™斩获年度重大创新突破产品奖

西安紫光国芯的SeDRAM™技术采用纳米级互连将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现嵌入式存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同的逻辑工艺提供标准化接口和测试IP，使SoC客户能够方便简单地集成。

西安紫光国芯常务副总裁江喜平表示，“西安紫光国芯历时七年研发的SeDRAM™技术和平台，成功地实现了DRAM晶圆和SoC晶圆的异质集成，提供了业界领先的超大带宽、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解决方案。获此殊荣，是公司长期坚持技术创新取得的研究成果，也是业界同仁对公司创新能力、产业影响力的高度认可。未来，西安紫光国芯将继续以创新为驱动力，持续深耕DRAM和SoC设计技术，为集成电路行业带来更多有价值的创新应用，推动产业快速发展”。

基于SeDRAM™技术和平台实现量产的芯片亮相大会展区

亮相本次大会展区的，还有基于SeDRAM™技术和平台开发的超大带宽、超大容量、超低功耗的大数据分析芯片和三维DRAM LPDDR4芯片。据了解，这些产品处于世界领先水平，并且实现了大规模量产和销售。

西安紫光国芯展位现场

作为DRAM领域的先行者，西安紫光国芯勇于创新、专注硬科技，是以DRAM（动态随机存取存储器）存储技术为核心的产品和服务提供商，拥有掌握存储器和集成电路核心设计与测试技术的国际化团队，以及世界领先水平的存储器和SoC测试实验室、模组应用实验中心。公司产品持续量产销售国内外，积累了良好的存储器和SoC的设计、测试、规模生产及全球销售等研发和产业化经验。

基于SeDRAM™技术和平台的多款产品和研究成果受到广泛认可

依托开放式、定制化、平台式的合作模式，西安紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力，成功帮助有大带宽、低功耗需求的客户开发多款产品，其中几款产品已经实现了大规模量产和销售。