“杭州芯火壹号”HX001芯片发布，已申请一项国家发明专利

集微网消息，12月17日，“杭州芯火壹号”HX001芯片发布，宣告杭州国家“芯火”第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片诞生。该芯片是杭州国家“芯火”双创平台共性技术研究的一部分，由杭州国家“芯火”双创平台与浙江大学微纳电子学院协同开发完成。

图片来源：杭州国家芯火

据悉，“杭州芯火壹号”HX001芯片的阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置，制备Pd/Al₂O₃/HfO₂/NiO_x/Ni结构，来有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。具有Pd/Al₂O₃/HfO₂/NiO_x/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于10⁶，并减少了对器件的后端集成。同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到40F²，大大提高了阻变器件的集成密度。

检测报告显示：HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于10⁶；在150℃环境下，分别在1s，30s，100s，300s，1000s，3000s时加约0.1V小电压对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定；根据模型外推忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上；忆阻器单元面积小于40F²。目前，已申请一项国家发明专利。

杭州国家芯火消息称，目前“HX001”芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。（校对/若冰）