力成携手华邦电 开发2.5D/3D先进封装业务

封测厂力成 (6239-TW) 与存储器业者华邦电 (2344-TW) 今 (20) 日宣布，双方签订合作意向书，共同开发 2.5D (Chip on Wafer on Substrate)/3D 先进封装业务，抢食 AI 商机。

双方指出，随着人工智能技术的蓬勃发展，市场对宽频及高速运算的需求急遽上升，进而带动对先进封装及异质整合的强烈需求，力成作为业界的领先者，坚决投入并引领这场技术浪潮，此次战略合作主要满足市场对 2.5D(Chip on Wafer on Substrate) 及 3D 先进封装的强烈需求。

双方合作业务开发案将由力成提供所需 2.5D 及 3D 先进封装服务，包括但不限于 Chip on Wafer、凸块 (Bumping) 及矽穿孔 (TSV, Through Silicon Via) via-reveal 封装等，并优先推荐客户使用华邦电的矽中介层 (Silicon-Interposer) 及其他产品，包括动态随机存取存储器 (DRAM) 及快闪存储器 (Flash) 等以完成前述之先进封装服务，进而达成异质整合以满足市场对高宽频及高效能运算的服务需求。

华邦电新一代的矽中介层技术，是其在开发 CUBE DRAM 系列的伴随产品，不仅实现高效能 AI 边缘运算，更结合了力成在 2.5D 和 3D 的异质整合封装技术，不仅强化了产品之高宽频性能，也降低资料传输所需的电力，从而迎合 AI 时代对高速运算及低耗能的期望和需求。

力成和华邦电透过全面的上下游整合服务，将能够为客户提供更多异质整合方案，以促进 AI 技术的发展，进而引领 AI 边缘运算领域的迅速蓬勃发展。