中芯国际“镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司“镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年2月20日，申请公布号为CN117577626A  。

一种镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法，其中电容器包括：衬底；位于衬底上的第一电极层，第一电极层包括第一区、第二区和交界区；位于第一电极层上的高K介电层；位于高K介电层上的第二电极层，第二电极层包括第一电极部和第二电极部；位于第一电极层上的第一引线结构，第一引线结构与交界区连接。通过将第一引线结构与第一电极层的中间位置连接，能够有效降低流经第一电极层的电阻，使得电容器的品质因数增加。而且电容器的整体结构呈对称结构，使得电容器的容值趋于稳定，而且能够有效降低损耗，使得电容器的品质因数提升。另外在第二电极板尺寸固定的情况下，无需额外增加第一电极层的面积，进而不会使得器件结构的集成度降低。