中芯国际“镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法”专利公布

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集微网消息,天眼查显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司“镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法”专利公布,申请公布日为2024年2月20日,申请公布号为CN117577626A  。

一种镶嵌在互连结构中的电容器及其形成方法,其中电容器包括:衬底;位于衬底上的第一电极层,第一电极层包括第一区、第二区和交界区;位于第一电极层上的高K介电层;位于高K介电层上的第二电极层,第二电极层包括第一电极部和第二电极部;位于第一电极层上的第一引线结构,第一引线结构与交界区连接。通过将第一引线结构与第一电极层的中间位置连接,能够有效降低流经第一电极层的电阻,使得电容器的品质因数增加。而且电容器的整体结构呈对称结构,使得电容器的容值趋于稳定,而且能够有效降低损耗,使得电容器的品质因数提升。另外在第二电极板尺寸固定的情况下,无需额外增加第一电极层的面积,进而不会使得器件结构的集成度降低。

责编: 韩秀荣
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