近日，武汉光谷企业新存科技（武汉）有限责任公司（以下简称“新存科技”）宣布其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世，有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。
新存科技总经理刘峻介绍，目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级，“NM101”芯片容量直接提升到Gb级，目前已达64Gb，支持随机读写，且存储时读、写均比目前国内同类产品提速10倍以上，寿命还增加了5倍。使用“NM101”芯片制造的硬盘，存入一部10GB的高清电影仅需1秒。
华中科技大学集成电路学院院长缪向水表示，这一产品是新存科技与华中科技大学长期开展深度产学研合作结出的硕果。“NM101”芯片显著降低了我国对国外存储技术的依赖，加速了国产新型存储器产业化进程，可助力中国数字基建升级，为产业界合力打造数字产业集群添砖加瓦。
据了解，该芯片采用创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，利用先进工艺制程，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件，实现了存储架构上的重大突破。这一芯片做成的固态硬盘，可为数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储解决方案。
