韩国半导体工程师协会在其《2026年半导体技术路线图》中发布了未来15年硅芯片发展的预测。三星近期才发布全球首款2nm GAA芯片Exynos 2600，而预计到2040年，半导体电路工艺将达到0.2nm，进入埃米级时代。然而，从现在到未来十多年，仍需取得显著进展，实现1nm以下晶圆的道路上仍存在诸多障碍和挑战。
该路线图的目的是“有助于增强半导体技术的长期竞争力，促进学术研究，并制定人力资源发展战略”。韩国半导体工程师协会发布的这份路线图涵盖九大核心技术：半导体器件和工艺、人工智能（AI）半导体、光连接半导体、无线连接半导体传感器、有线连接半导体、PIM、封装和量子计算。
当前，三星的2nm GAA技术代表行业最先进制程节点。但据报道，三星计划推出该制造工艺的更优版本。例如，三星已完成第二代2nm GAA节点的基本设计，并计划在两年内推出其第三代2nm GAA技术SF2P+。据估计，到2040年，0.2nm工艺将采用新一代晶体管结构——互补场效应晶体管（CFET），以及单片式3D芯片设计。
作为韩国下一代半导体制造的领军企业，三星已组建团队，开始研发1nm芯片，目标是在2029年实现量产。这些改进不仅应用于移动SoC，还将应用于DRAM，其存储电路将从11nm缩小到6nm；高带宽存储器（HBM）据称也将从12层、2TB/s带宽提升至30层、128TB/s带宽。
在NAND闪存方面，SK海力士已开发出321层QLC技术，而半导体技术的进步将使QLC NAND闪存达到2000层。AI处理器方面，当前芯片已实现10TOPS的运算能力，路线图预测15年后学习芯片可达1000TOPS，推理芯片达100TOPS。（校对/赵月）
