三星2月发布首款36GB12层HBM3E存储，根据业界消息，三星已于第二季开始量产这款HBM3E产品，正供应给特定客户。
据韩媒报道，12层HBM3E是利用硅通孔（TSV）技术将DRAM存储芯片堆叠到12层，这也成为下半年AI半导体市场重要战场。
根据最新业界消息，三星HBM3E可望于第三季获得认证英伟达出货，待相关程序完成后，将可望量产供货。倘若未通过，这些预生产的产品可能成为库存，而三星HBM验证的消息有望在近期三星财报会议中获得确认。
SK海力士也加入竞争行列，准备第三季量产12层HBM3E产品。据报道，SK海力士目前向英伟达供应之前的8层HBM3E，但尚未收到12层版本的验证申请，不过SK海力士将量产时间表从明年提前至第三季，加速领先市场的脚步。
这次竞赛中的黑马美光，则计划下半年完成12层HBM3E的量产准备，明年供应给英伟达等主要客户。报道指出，目前尚未有存储公司决定向英伟达供应12层HBM3E，英伟达很可能考虑三间公司的出价，以满足需求并获取优惠的价格。
业界人士指出，即使12层HBM3E价格可能因竞争加剧而略下滑，但下半年显然是决定HBM市场格局的时候，“关键在于各家公司能多大程度提高良率”。
谁先向英伟达提供12层HBM3E产品，将决定SK海力士能否维持HBM领先地位、三星电子能否扭转趋势，抑或是美光迎头赶上，这些都将牵动每家公司的市场地位和财务健康状况。
