2026年5月27日至29日，第十届集微大会在上海张江科学会堂隆重举行。本届大会以“AI重构未来、生态协同致远”为主题，由半导体投资联盟、ICT知识产权发展联盟主办，爱集微承办，汇聚全球产业链资源，共筑产业新生态。
5月27日，“先进封装与测试技术创新峰会”重磅启幕。
在先进封装向2.5D/3D快速演进的过程中，晶圆减薄与划切工艺正面临前所未有的精度挑战。武汉芯丰精密科技有限公司副总经理锁志勇在题为《极致精密——面向先进封装的磨划切解决方案》的演讲中，深度剖析了行业痛点与技术突破方向，为国产设备在先进封装领域的突围指明了路径。
工艺能力跨代跃升
芯丰精密成立于2021年9月18日，公司聚焦三维堆叠、先进封装等前沿工艺技术及第三代半导体材料领域，致力于先进半导体设备与配套材料的研发创新，赋能全球芯片制造升级。公司专注先进封装高端半导体设备，主攻晶圆减薄、环切、划片三大工艺。
随着2.5D、3D堆叠技术日益普及，晶圆必须实现超薄、超平、高洁净度的加工要求，这正是公司的核心技术攻关方向。芯丰精密聚焦3D IC、先进封装等领域，提供涵盖grinding、edge trimming设备及全系列耗材的一站式解决方案。针对不同客户的特色工艺需求，芯丰精密从设计理念出发，将工艺、设备、软件、耗材四者融合，提供定制化方案。同时，本地化服务团队贴近用户、快速响应，为高密度集成工艺提供坚实的加工支撑。
先进封装对晶圆减薄的要求已进入10μm以下时代，当前2.5D/3D封装对加工设备提出了三大刚性需求：更薄、更平、更洁净，行业对TTV（厚度总变化量）的控制目标更是严苛至0.5μm以下，特定应用场景的要求甚至达到0.1μm以下。芯丰精密的旗舰设备实测TTV控制精度达0.2μm，且无需依赖CMP（化学机械抛光）补偿工艺，直接实现了工艺能力的跨代跃升。
这一突破彻底打破了“减薄精度不足，靠CMP弥补”的行业惯性，不仅大幅简化了工艺流程，更从根源上为客户提供了大幅改善晶圆减薄工艺的生产效率和运营成本的可能性。
环切设备批量应用
锁志勇透露，公司自主研发的国内首台超精密晶圆环切设备UNI-T310于2023年底实现量产交付，打破了国际厂商的长期技术封锁。该设备主要服务于当前最前沿的三维集成（3D IC）领域，用于AI芯片、HBM高带宽内存制造。
在技术上，UNI-T310实现了微米级的超精密加工，采用先进的高度智能化“量测-自反馈-控制”技术，能够实时监测并修正微米级的切割偏差，保证设备长期运行的稳定性与产品高良率，累计“零故障”运行时长已突破10000小时。
目前该设备已在头部客户产线实现近30台的批量应用，成功登顶国内市场占有率，标志着国产设备在先进封装关键工序上完成了从0到1的突破。
当前国内划片设备功能相对单一，大多数仅能满足后道全切需求，难以匹配前道产线对半切精度和高洁净的严苛标准。芯丰精密不断突破创新，以前道制程技术经验赋能后道设备，自研适配Hybrid Bonding工艺的半切划片技术。依托高刚性运动平台与高精度定位系统，搭配高等级洁净模块与清洗单元，能够同步清除加工污染物，综合表现优于进口设备。
随着芯片结构向多层异质材料堆叠演进，传统边缘加工方式已无法适应硅/氧化硅/金属叠层等复杂结构，边缘崩缺、界面分层等问题成为制约良率的关键瓶颈。芯丰精密针对性提出解决方案：通过定制化刀具路径实现不同材料层的差异化加工控制，软切技术降低切割应力对界面的冲击，边缘抛光则对加工缺陷进行精准修复。有效解决了异质材料加工的行业难题，保障了复杂结构晶圆的加工良率与可靠性。
全路线产品覆盖，发力特色半导体工艺
针对不同封装技术路线、产品代际以及8英寸及以下特色工艺市场，锁志勇介绍了公司完整的产品布局。
企业产品矩阵分为四大板块：一是面向3D堆叠的减薄与边缘修整设备，对标国际主流产品并完成定制升级；二是适配2.5D封装的环切设备、减薄撕贴膜一体机加工平台，兼容TSV与Hybrid Bonding两大技术路线；三是专攻SiC、GaN等宽禁带半导体材料的特色工艺设备，通过强化机身刚性、搭配专用刀具与冷却系统，解决超硬材料加工中的技术难题；四是打造设备、耗材的一体化服务，深度配合客户需求开发多款定制耗材，大幅拓宽客户的产线工艺灵活性。
全系设备采用统一控制架构，保障工艺稳定性与产线灵活拓展，全面覆盖主流封装与特色半导体应用场景。这意味着国产设备已突破先进封装设备的核心瓶颈，有望打破海外设备的长期垄断，为国内先进封装产线的自主可控提供关键支撑。
在先进封装国产化替代的关键阶段，芯丰精密以极致精密为核心，通过技术创新攻克磨划切工艺的核心难题，不仅展现了国产设备的技术实力，更为国内先进封装产业的自主发展注入了新的动能。随着国产设备在更多产线的验证与落地，先进封装领域的“卡脖子”难题有望逐步破解，推动国内半导体产业向更高水平迈进。
